多元蒸着法によるAgGaS[2]薄膜のエピタキシャル成長と評価
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国立国会図書館デジタルコレクション
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目次
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p1
第1章 序論
p1
1-1 本研究の背景
p1
1-2 カルコパイライト型半導体の概説
p4
1-3 I-III-VL₂族カルコパイライト型化合物の研究の現状
p7
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- タゲン ジョウチャクホウ ニ ヨル AgGaS2 ハクマク ノ エピタキシャル セイチョウ ト ヒョウカ
- 著者・編者
- 倉澤正樹 [著]
- 著者標目
- 倉澤, 正樹 クラサワ, マサキ
- 授与機関名
- 新潟大学
- 授与年月日
- 平成11年3月24日
- 授与年月日（W3CDTF）
- 1999
- 報告番号
- 甲第1526号
- 学位
- 博士 (工学)