多元蒸着法によるAgGaS[2]薄膜のエピタキシャル成長と評価
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Table of Contents
目次
p1
第1章 序論
p1
1-1 本研究の背景
p1
1-2 カルコパイライト型半導体の概説
p4
1-3 I-III-VL₂族カルコパイライト型化合物の研究の現状
p7
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- タゲン ジョウチャクホウ ニ ヨル AgGaS2 ハクマク ノ エピタキシャル セイチョウ ト ヒョウカ
- Author/Editor
- 倉澤正樹 [著]
- Author Heading
- 倉澤, 正樹 クラサワ, マサキ
- Degree grantor/type
- 新潟大学
- Date Granted
- 平成11年3月24日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1999
- Dissertation Number
- 甲第1526号
- Degree Type
- 博士 (工学)