Spectroscopic study of Si-based semiconductor heterostructures grown by molecular beam epitaxy

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Spectroscopic study of Si-based semiconductor heterostructures grown by molecular beam epitaxy
• 著者・編者: 宇佐美徳隆 [著]
• 著者標目: 宇佐美, 徳隆 ウサミ, ノリタカ
• 並列タイトル等: 分子線エピタキシー法により作製したSi系ヘテロ構造の分光学的研究 ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨリ サクセイ シタ Siケイ ヘテロ コウゾウ ノ ブンコウガクテキ ケンキュウ
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 平成10年1月29日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1998
• 報告番号: 乙第13671号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-99-V356
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000343798; http://id.ndl.go.jp/bib/000000343798
• 整理区分コード: 213

目次

Table of Contents

Acknowledgments

1.Introduction

1.1 Motivation:Why SiGe?

1.2 Organization