Spectroscopic study of Si-based semiconductor heterostructures grown by molecular beam epitaxy

• Material Type: 博士論文
• Title: Spectroscopic study of Si-based semiconductor heterostructures grown by molecular beam epitaxy
• Author/Editor: 宇佐美徳隆 [著]
• Author Heading: 宇佐美, 徳隆 ウサミ, ノリタカ
• Alternative Title: 分子線エピタキシー法により作製したSi系ヘテロ構造の分光学的研究 ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨリ サクセイ シタ Siケイ ヘテロ コウゾウ ノ ブンコウガクテキ ケンキュウ
• Degree Grantor: 東京大学
• Date Granted: 平成10年1月29日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 乙第13671号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-V356
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000343798; http://id.ndl.go.jp/bib/000000343798
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Table of Contents

Acknowledgments

1.Introduction

1.1 Motivation:Why SiGe?

1.2 Organization