Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のハライド気相成長とデバイス応用に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のハライド気相成長とデバイス応用に関する研究
• タイトルよみ: 3-5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ノ ハライド キソウ セイチョウ ト デバイス オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 碓井彰 [著]
• 著者標目: 碓井, 彰 ウスイ, アキラ
• 数量: 冊
• 授与機関名: 筑波大学
• 授与年月日: 平成9年7月25日
• 授与年月日（W3CDTF）: 1997
• 報告番号: 乙第1308号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-99-V697
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000344139; http://id.ndl.go.jp/bib/000000344139
• 整理区分コード: 213

目次

目次

第1章 序論

第2章 研究の背景と目的

2-1 残留不純物の削減

2-2 ヘテロ構造成長装置