InGaAs光半導体デバイスの放射線損傷
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目次
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第1章 序論
p1
1-1 III-V化合物系半導体と光デバイス
p1
1-2 半導体デバイスの放射線損傷についての背景
p1
1-3 InGaAs/InP系デバイス放射線損傷研究の現状
p5
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- InGaAs ヒカリ ハンドウタイ デバイス ノ ホウシャセン ソンショウ
- 著者・編者
- 工藤友裕 [著]
- 著者標目
- 工藤, 友裕 クドウ, トモヒロ
- 出版事項
- 出版年月日等
- 2000
- 出版年（W3CDTF）
- 2000
- 数量
- 1冊
- 授与機関名
- 熊本大学