博士論文
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InGaAs光半導体デバイスの放射線損傷

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InGaAs光半導体デバイスの放射線損傷

Call No. (NDL)
UT51-2000-P390
Bibliographic ID of National Diet Library
000000390695
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3175227
Material type
博士論文
Author
工藤友裕 [著]
Publisher
[工藤友裕]
Publication date
2000
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
1冊
Name of awarding university/degree
熊本大学,博士 (学術)
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Note (General):

博士論文

Table of Contents

  • 目次

  • 第1章 序論

    p1

  • 1-1 III-V化合物系半導体と光デバイス

    p1

  • 1-2 半導体デバイスの放射線損傷についての背景

    p1

  • 1-3 InGaAs/InP系デバイス放射線損傷研究の現状

    p5

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Bibliographic Record

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title Transcription
InGaAs ヒカリ ハンドウタイ デバイス ノ ホウシャセン ソンショウ
Author/Editor
工藤友裕 [著]
Author Heading
工藤, 友裕 クドウ, トモヒロ
Publication, Distribution, etc.
Publication Date
2000
Publication Date (W3CDTF)
2000
Extent
1冊
Degree grantor/type
熊本大学