組成傾斜原料を用いた均一高In組成化合物半導体混晶(InxGa1-xAs;X[=]0.2)単結晶育成に関する研究

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 組成傾斜原料を用いた均一高In組成化合物半導体混晶(InxGa1-xAs;X[=]0.2)単結晶育成に関する研究
• タイトルよみ: ソセイ ケイシャ ゲンリョウ オ モチイタ キンイツ コウ In ソセイ カゴウブツ ハンドウタイ コンショウ ( Inx Ga1-x As ; X = 0.2 ) タンケッショウ イクセイ ニ カンスル ケンキュウ
• 著者・編者: 加藤浩和 [著]
• 著者標目: 加藤, 浩和 カトウ, ヒロカズ
• 出版事項: [加藤浩和]
• 出版年月日等: 2000
• 出版年（W3CDTF）: 2000
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: The study on single crystal growth of homogeneous mixed crystal InxGa1-xAs with high indium content (X[=]0.2) using solute compositional grandient feed material
• 授与機関名: 東京工業大学
• 授与年月日: 平成12年3月26日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2000
• 報告番号: 甲第4400号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2000-R352
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000393099; http://id.ndl.go.jp/bib/000000393099
• 整理区分コード: 213

目次

論文目録

目次

第1章 序論

1-1 はじめに

1-2 背景