組成傾斜原料を用いた均一高In組成化合物半導体混晶(InxGa1-xAs;X[=]0.2)単結晶育成に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 組成傾斜原料を用いた均一高In組成化合物半導体混晶(InxGa1-xAs;X[=]0.2)単結晶育成に関する研究
• Title Transcription: ソセイ ケイシャ ゲンリョウ オ モチイタ キンイツ コウ In ソセイ カゴウブツ ハンドウタイ コンショウ ( Inx Ga1-x As ; X = 0.2 ) タンケッショウ イクセイ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 加藤浩和 [著]
• Author Heading: 加藤, 浩和 カトウ, ヒロカズ
• Publication, Distribution, etc.: [加藤浩和]
• Publication Date: 2000
• Publication Date (W3CDTF): 2000
• Extent: 1冊
• Alternative Title: The study on single crystal growth of homogeneous mixed crystal InxGa1-xAs with high indium content (X[=]0.2) using solute compositional grandient feed material
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成12年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 2000
• Dissertation Number: 甲第4400号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2000-R352
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000393099; http://id.ndl.go.jp/bib/000000393099
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

目次

第1章 序論

1-1 はじめに

1-2 背景