Study on defect passivation of GaAs-related compound semiconductor on Si substrate by hydrogen plasma exposure

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study on defect passivation of GaAs-related compound semiconductor on Si substrate by hydrogen plasma exposure
• 著者・編者: Gang Wang [著]
• 著者標目: 王, 鋼 オウ, コウ
• 出版事項: [Gang Wang]
• 出版年月日等: 2001
• 出版年（W3CDTF）: 2001
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: Si基板上GaAs系化合物半導体内欠陥の水素プラズマによる不活性化に関する研究 Si キバンジョウ GaAs ケイ カゴウブツ ハンドウタイ ナイ ケッカン ノ スイソ プラズマ ニ ヨル フカッセイカ ニ カンスル ケンキュウ
• 授与機関名: 名古屋工業大学
• 授与年月日: 平成13年3月23日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2001
• 報告番号: 甲第346号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2001-C237
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000397603; http://id.ndl.go.jp/bib/000000397603
• 整理区分コード: 213

目次

Contents

Chapter1 Introduction

1.1 Background

1.2 GaAs epitaxial growth on Si

1.3 Hydrogen in III-V semiconductors