Study on defect passivation of GaAs-related compound semiconductor on Si substrate by hydrogen plasma exposure

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on defect passivation of GaAs-related compound semiconductor on Si substrate by hydrogen plasma exposure
• Author/Editor: Gang Wang [著]
• Author Heading: 王, 鋼 オウ, コウ
• Publication, Distribution, etc.: [Gang Wang]
• Publication Date: 2001
• Publication Date (W3CDTF): 2001
• Extent: 1冊
• Alternative Title: Si基板上GaAs系化合物半導体内欠陥の水素プラズマによる不活性化に関する研究 Si キバンジョウ GaAs ケイ カゴウブツ ハンドウタイ ナイ ケッカン ノ スイソ プラズマ ニ ヨル フカッセイカ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 名古屋工業大学
• Date Granted: 平成13年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 2001
• Dissertation Number: 甲第346号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-C237
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000397603; http://id.ndl.go.jp/bib/000000397603
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Chapter1 Introduction

1.1 Background

1.2 GaAs epitaxial growth on Si

1.3 Hydrogen in III-V semiconductors