Studies on Ultrathin Silicon Nitride Film Formation for High-k Gate Dielectrics Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
図書館・個人送信サービスを利用する
国立国会図書館デジタルコレクション
国立国会図書館の登録利用者(本登録)の方を対象とした、個人送信サービスで閲覧可能です。ただし、日本国外に居住している場合は、個人送信サービスを利用できません。
利用者登録する >
ログインする >
資料に関する注記
一般注記:
Contents
p1
Chapter 1 Introduction
1.1 Progress in MOS Transistor
1.2 Previous studies on formation techniques and high-k materials
p11
1.3 Purpose and composition of this thesis
p15
みなサーチに登録・ログインで利用できます
この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。