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博士論文

Studies on Ultrathin Silicon Nitride Film Formation for High-k Gate Dielectrics Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

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Studies on Ultrathin Silicon Nitride Film Formation for High-k Gate Dielectrics Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

国立国会図書館請求記号
UT51-2001-D237
国立国会図書館書誌ID
000000398609
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3181541
資料種別
博士論文
著者
Hiroyuki Ohta [著]
出版者
[Hiroyuki Ohta]
出版年
2001
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
1冊
授与大学名・学位
名古屋大学,博士 (工学)
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目次

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  • Contents

    p1

  • Chapter 1 Introduction

    p1

  • 1.1 Progress in MOS Transistor

    p1

  • 1.2 Previous studies on formation techniques and high-k materials

    p11

  • 1.3 Purpose and composition of this thesis

    p15

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
Hiroyuki Ohta [著]
著者標目
大田, 裕之 オオタ, ヒロユキ
出版事項
出版年月日等
2001
出版年(W3CDTF)
2001
数量
1冊
並列タイトル等
PECVD法による高誘電率ゲート絶縁膜用極薄シリコン窒化膜形成に関する研究 PECVDホウ ニ ヨル コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマクヨウ ゴクウス シリコン チッカ マク ケイセイ ニ カンスル ケンキュウ
授与機関名
名古屋大学