Studies on Ultrathin Silicon Nitride Film Formation for High-k Gate Dielectrics Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies on Ultrathin Silicon Nitride Film Formation for High-k Gate Dielectrics Using Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
• Author/Editor: Hiroyuki Ohta [著]
• Author Heading: 大田, 裕之 オオタ, ヒロユキ
• Publication, Distribution, etc.: [Hiroyuki Ohta]
• Publication Date: 2001
• Publication Date (W3CDTF): 2001
• Extent: 1冊
• Alternative Title: PECVD法による高誘電率ゲート絶縁膜用極薄シリコン窒化膜形成に関する研究 PECVDホウ ニ ヨル コウユウデンリツ ゲート ゼツエンマクヨウ ゴクウス シリコン チッカ マク ケイセイ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 名古屋大学
• Date Granted: 平成13年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 2001
• Dissertation Number: 甲第5080号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-D237
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000398609; http://id.ndl.go.jp/bib/000000398609
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Chapter 1 Introduction

1.1 Progress in MOS Transistor

1.2 Previous studies on formation techniques and high-k materials

1.3 Purpose and composition of this thesis