Heteroepitaxial Growth of InGaP and GaAsP on Si and their Doping Characteristics for the Application to Tandem Solar Cells
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目次
論文目録
Contents
p5
Abstract
p1
Acknowledgement
p3
1 Introduction
p1
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- 著者・編者
- Kazuhiro Nakamura [著]
- 著者標目
- 中村, 和広 ナカムラ, カズヒロ
- 出版年月日等
- 2000
- 出版年(W3CDTF)
- 2000
- 数量
- 1冊
- 並列タイトル等
- タンデム太陽電池用InGaPおよびGaAsPのSi上へのヘテロエピタキシャル成長とドーピング特性 タンデム タイヨウ デンチ ヨウ InGaP オヨビ GaAsP ノ Si ジョウ エ ノ ヘテロエピタキシャル セイチョウ ト ドーピング トクセイ
- 授与機関名
- 京都大学