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Heteroepitaxial Growth of InGaP and GaAsP on Si and their Doping Characteristics for the Application to Tandem Solar Cells

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Heteroepitaxial Growth of InGaP and GaAsP on Si and their Doping Characteristics for the Application to Tandem Solar Cells

国立国会図書館請求記号
UT51-2001-F249
国立国会図書館書誌ID
000000401088
国立国会図書館永続的識別子
info:ndljp/pid/3183348
資料種別
博士論文
著者
Kazuhiro Nakamura [著]
出版者
[Kazuhiro Nakamura]
出版年
2000
資料形態
紙・デジタル
ページ数・大きさ等
1冊
授与大学名・学位
京都大学,博士 (工学)
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目次

  • 論文目録

  • Contents

    p5

  • Abstract

    p1

  • Acknowledgement

    p3

  • 1 Introduction

    p1

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書誌情報

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デジタル

資料種別
博士論文
著者・編者
Kazuhiro Nakamura [著]
著者標目
中村, 和広 ナカムラ, カズヒロ
出版年月日等
2000
出版年(W3CDTF)
2000
数量
1冊
並列タイトル等
タンデム太陽電池用InGaPおよびGaAsPのSi上へのヘテロエピタキシャル成長とドーピング特性 タンデム タイヨウ デンチ ヨウ InGaP オヨビ GaAsP ノ Si ジョウ エ ノ ヘテロエピタキシャル セイチョウ ト ドーピング トクセイ
授与機関名
京都大学