Heteroepitaxial Growth of InGaP and GaAsP on Si and their Doping Characteristics for the Application to Tandem Solar Cells

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Heteroepitaxial Growth of InGaP and GaAsP on Si and their Doping Characteristics for the Application to Tandem Solar Cells
• 著者・編者: Kazuhiro Nakamura [著]
• 著者標目: 中村, 和広 ナカムラ, カズヒロ
• 出版事項: [Kazuhiro Nakamura]
• 出版年月日等: 2000
• 出版年（W3CDTF）: 2000
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: タンデム太陽電池用InGaPおよびGaAsPのSi上へのヘテロエピタキシャル成長とドーピング特性 タンデム タイヨウ デンチ ヨウ InGaP オヨビ GaAsP ノ Si ジョウ エ ノ ヘテロエピタキシャル セイチョウ ト ドーピング トクセイ
• 授与機関名: 京都大学
• 授与年月日: 平成13年3月23日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2001
• 報告番号: 甲第8919号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2001-F249
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000401088; http://id.ndl.go.jp/bib/000000401088
• 整理区分コード: 213

目次

論文目録

Contents

Abstract

Acknowledgement

1 Introduction