Heteroepitaxial Growth of InGaP and GaAsP on Si and their Doping Characteristics for the Application to Tandem Solar Cells

• Material Type: 博士論文
• Title: Heteroepitaxial Growth of InGaP and GaAsP on Si and their Doping Characteristics for the Application to Tandem Solar Cells
• Author/Editor: Kazuhiro Nakamura [著]
• Author Heading: 中村, 和広 ナカムラ, カズヒロ
• Publication, Distribution, etc.: [Kazuhiro Nakamura]
• Publication Date: 2000
• Publication Date (W3CDTF): 2000
• Extent: 1冊
• Alternative Title: タンデム太陽電池用InGaPおよびGaAsPのSi上へのヘテロエピタキシャル成長とドーピング特性 タンデム タイヨウ デンチ ヨウ InGaP オヨビ GaAsP ノ Si ジョウ エ ノ ヘテロエピタキシャル セイチョウ ト ドーピング トクセイ
• Degree grantor/type: 京都大学
• Date Granted: 平成13年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 2001
• Dissertation Number: 甲第8919号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-F249
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000401088; http://id.ndl.go.jp/bib/000000401088
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

Contents

Abstract

Acknowledgement

1 Introduction