4族半導体表面における水素原子の吸着・脱離に関する基礎的研究
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目次
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1章 序論
p1
1･1 はじめに
p1
1･2 引き抜き反応及び入射水素誘起脱離反応
p1
1･3 IV半導体(100)表面における水素原子の吸着構造
p4
1･4 引き抜き反応における反応断面積の定義
p9
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書誌情報
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- 資料種別
- 博士論文
- タイトルよみ
- 4ゾク ハンドウタイ ヒョウメン ニ オケル スイソ ゲンシ ノ キュウチャク ダツリ ニ カンスル キソテキ ケンキュウ
- 著者・編者
- 下川真一 [著]
- 著者標目
- 下川, 真一 シモカワ, シンイチ
- 出版事項
- 出版年月日等
- 2001
- 出版年（W3CDTF）
- 2001
- 数量
- 1冊
- 授与機関名
- 九州工業大学