4族半導体表面における水素原子の吸着・脱離に関する基礎的研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 4族半導体表面における水素原子の吸着・脱離に関する基礎的研究
• Title Transcription: 4ゾク ハンドウタイ ヒョウメン ニ オケル スイソ ゲンシ ノ キュウチャク ダツリ ニ カンスル キソテキ ケンキュウ
• Author/Editor: 下川真一 [著]
• Author Heading: 下川, 真一 シモカワ, シンイチ
• Publication, Distribution, etc.: [下川真一]
• Publication Date: 2001
• Publication Date (W3CDTF): 2001
• Extent: 1冊
• Degree Grantor: 九州工業大学
• Date Granted: 平成13年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 2001
• Dissertation Number: 甲第156号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-S462
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000415734; http://id.ndl.go.jp/bib/000000415734
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

1章 序論

1･1 はじめに

1･2 引き抜き反応及び入射水素誘起脱離反応

1･3 IV半導体(100)表面における水素原子の吸着構造

1･4 引き抜き反応における反応断面積の定義