Co-Evolution of Microstructure and Dislocation Dynamics in InGaP/GaP Engineering High Quality Epitaxial Transparent Substrates

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Co-Evolution of Microstructure and Dislocation Dynamics in InGaP/GaP Engineering High Quality Epitaxial Transparent Substrates
• 著者・編者: Andrew Y. Kim.
• 著者標目: Kim, Andrew Y.
• 出版事項: Cambridge : Massachusetts Institute of Technology
• 出版年月日等: 2000.
• 数量: 3 Microfiches ( 265 fr.) : negative, ill.
• 授与機関名: Massachusetts Institute of Technology
• 授与年月日: 2000.
• 授与年月日（W3CDTF）: 2000
• 学位論文注記: 博士論文; Thesis (doctoral) --Massachusetts Institute of Technology, 2000.
• 出版地（国名コード）: US
• 本文の言語コード: eng
• 資料種別（注記）: [microform]
• 書誌注記: Includes bibliographies.
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: LS-DIMIT-00-158
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000003447274; http://id.ndl.go.jp/bib/000003447274
• 整理区分コード: 216