Study on dielectric breakdown mechanisms of gate oxides in silicon MOSFETs

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: Study on dielectric breakdown mechanisms of gate oxides in silicon MOSFETs
• 著者・編者: 岡田健治 [著]
• 著者標目: 岡田, 健治 オカダ, ケンジ
• 出版事項: [岡田健治]
• 出版年月日等: 2002
• 出版年（W3CDTF）: 2002
• 数量: 1冊
• 並列タイトル等: シリコンMOSFETにおけるゲート酸化膜の絶縁破壊機構に関する研究 シリコン MOSFET ニ オケル ゲート サンカマク ノ ゼツエン ハカイ キコウ ニ カンスル ケンキュウ
• 授与機関名: 大阪大学
• 授与年月日: 平成15年3月25日
• 授与年月日（W3CDTF）: 2003
• 報告番号: 甲第9263号
• 学位: 博士 (工学)
• 学位論文注記: 博士論文
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: UT51
• 一般注記: 博士論文
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: UT51-2003-E716
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000004137874; http://id.ndl.go.jp/bib/000004137874
• 整理区分コード: 213