Study on dielectric breakdown mechanisms of gate oxides in silicon MOSFETs

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on dielectric breakdown mechanisms of gate oxides in silicon MOSFETs
• Author/Editor: 岡田健治 [著]
• Author Heading: 岡田, 健治 オカダ, ケンジ
• Publication, Distribution, etc.: [岡田健治]
• Publication Date: 2002
• Publication Date (W3CDTF): 2002
• Extent: 1冊
• Alternative Title: シリコンMOSFETにおけるゲート酸化膜の絶縁破壊機構に関する研究 シリコン MOSFET ニ オケル ゲート サンカマク ノ ゼツエン ハカイ キコウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成15年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 2003
• Dissertation Number: 甲第9263号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2003-E716
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000004137874; http://id.ndl.go.jp/bib/000004137874
• Bibliographic Record Category (NDL): 213