Si front-end processing -- physics and technology of dopant-defect interactions 3 : symposium held April 17-19, 2001, San Francisco, California, U.S.A. : Symposium J, "si front-end processing -- physics and technology of dopant-defect interactions 3" : 2001 MRS spring meeting : 3rd MRS symposium : Apr 2001, San Francisco, CA.

• 資料種別: 図書
• ISBN: 1558996052
• タイトル: Si front-end processing -- physics and technology of dopant-defect interactions 3 : symposium held April 17-19, 2001, San Francisco, California, U.S.A. : Symposium J, "si front-end processing -- physics and technology of dopant-defect interactions 3" : 2001 MRS spring meeting : 3rd MRS symposium : Apr 2001, San Francisco, CA.
• シリーズタイトル: Materials Research Society Symposia Proceedings ; 669
• タイトル標目: Materials Research Society symposia proceedings ; v 669.
• 著者標目: Jones, Erin C.
• 出版事項: Warrendale : Materials Research Society
• 出版年月日等: c2001.
• 出版年（W3CDTF）: 2001
• 数量: 1 v. (various pagings) : ill. ; 24 cm.
• 並列タイトル等: Symposium proceedings : spring 2001
• 出版地（国名コード）: US
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: Semiconductors -- Design and construction -- Congresses.; Semiconductor doping -- Congresses.; Silicon -- Congresses.; Semiconductors -- Defects -- Congresses.
• NDLC: M17
• 一般注記: Papers.
• 書誌注記: Includes bibliographical references and indexes.
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: M17-03-3218
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000004199206; http://id.ndl.go.jp/bib/000004199206
• RLIN番号: NYCXV4240871-B
• 整理区分コード: 215