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目次
A. General
1. Crossing of basic research of crystal defects and silicon material technology/ 1
B. Quality and Technology Required for the Wafers in the Coming Generation
2. Wafer quality requirements from the next generation processes and devices/ 19
3. Device physics and technology of strained-Si MOSFETs/ 26
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書誌情報
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- 資料種別
- 図書
- 巻次・部編番号
- 2003
- 著者・編者
- edited by H. Yamada-Kaneta, K. Sumino
- 出版年月日等
- c2003
- 出版年(W3CDTF)
- 2003
- 数量
- 340 p.
- 大きさ
- 30 cm