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目次
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A. General
1. Crossing of basic research of crystal defects and silicon material technology
p.1
B. Quality and Technology Required for the Wafers in the Coming Generation
2. Wafer quality requirements from the next generation processes and devices
p.19
3. Device physics and technology of strained-Si MOSFETs
p.26
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書誌情報
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- 資料種別
- 図書
- 巻次・部編番号
- 2003
- 著者・編者
- edited by H. Yamada-Kaneta, K. Sumino
- 出版年月日等
- c2003
- 出版年(W3CDTF)
- 2003
- 数量
- 340 p.
- 大きさ
- 30 cm