Siデバイスの新機軸 : ポストDRAMを見据えて

• 資料種別: 図書
• タイトル: Siデバイスの新機軸 : ポストDRAMを見据えて
• タイトルよみ: Si デバイス ノ シンキジク : ポスト DRAM オ ミスエテ
• シリーズタイトル: 応用物理学会スクール : テキスト ; 第21回
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: 東京 : 応用物理学会
• 出版年月日等: 1997.10
• 出版年（W3CDTF）: 1997
• 数量: 126p
• 大きさ: 30cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 集積回路--論文集 シュウセキカイロ ロンブンシュウ ( 00950811 )典拠
• NDC9版: 549.7 : 電子工学
• NDLC: ND386
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 会期・会場: 1997年10月4日 秋田大学; JSAP catalog no.AP971323
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND386-H73
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000004347166; http://id.ndl.go.jp/bib/000004347166
• 全国書誌番号: 20577523
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

目次

プログラム（目次）

「Siデバイスの新機軸」-ポストDRAMを見据えて-

1. Siデバイスの微細化と限界

9:30 Siデバイス(MOSFET)の微細化と性能限界/ 1

10:20 DRAMの高集積化-4G DRAM技術-/ 27