Siデバイスの新機軸 : ポストDRAMを見据えて

• Material Type: 図書
• Title: Siデバイスの新機軸 : ポストDRAMを見据えて
• Title Transcription: Si デバイス ノ シンキジク : ポスト DRAM オ ミスエテ
• Series Title: 応用物理学会スクール : テキスト ; 第21回
• Author Heading: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 東京 : 応用物理学会
• Publication Date: 1997.10
• Publication Date (W3CDTF): 1997
• Extent: 126p
• Size: 30cm
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: 集積回路--論文集 シュウセキカイロ ロンブンシュウ ( 00950811 )Authorities
• NDC 9th ed.: 549.7 : Electronic engineering
• NDLC: ND386
• Target Audience: 一般
• Note (General): 会期・会場: 1997年10月4日 秋田大学; JSAP catalog no.AP971323
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: ND386-H73
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000004347166; http://id.ndl.go.jp/bib/000004347166
• National Bibliography No. (JPNO): 20577523
• Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition
• Bibliographic Record Category (NDL): 111

Table of Contents

プログラム（目次）

「Siデバイスの新機軸」-ポストDRAMを見据えて-

1. Siデバイスの微細化と限界

9:30 Siデバイス(MOSFET)の微細化と性能限界

10:20 DRAMの高集積化-4G DRAM技術-