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Table of Contents
プログラム(目次)
「Siデバイスの新機軸」-ポストDRAMを見据えて-
1. Siデバイスの微細化と限界
9:30 Siデバイス(MOSFET)の微細化と性能限界/ 1
10:20 DRAMの高集積化-4G DRAM技術-/ 27
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 図書
- Title Transcription
- Si デバイス ノ シンキジク : ポスト DRAM オ ミスエテ
- Series Title
- Author Heading
- 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 1997.10
- Publication Date (W3CDTF)
- 1997
- Extent
- 126p
- Size
- 30cm