GaN系半導体の結晶成長、デバイスの基礎

• 資料種別: 図書
• タイトル: GaN系半導体の結晶成長、デバイスの基礎
• タイトルよみ: GaNケイ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ デバイス ノ キソ
• シリーズタイトル: 応用物理学会スクールB : テキスト ; 第26回
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: 東京 : 応用物理学会
• 出版年月日等: 2000.3
• 出版年（W3CDTF）: 2000
• 数量: 142p
• 大きさ: 30cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 半導体--論文集 ハンドウタイ ロンブンシュウ ( 00839632 )典拠
• NDC9版: 549.8 : 電子工学
• NDLC: ND371
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 会期・会場: 2000年3月28日 青山学院大学青山キャンパス; JSAP catalog no.AP001311
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-H52
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000004347180; http://id.ndl.go.jp/bib/000004347180
• 全国書誌番号: 20577488
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

目次

プログラム（目次）

GaN系半導体の結晶成長、デバイスの基礎

9:00 序論"スクール企画のねらい"/ 1

9:30 GaN系半導体の基礎物性/ 19

10:30 結晶成長技術I"MOVPEと欠陥制御"/ 41