GaN系半導体の結晶成長、デバイスの基礎

• Material Type: 図書
• Title: GaN系半導体の結晶成長、デバイスの基礎
• Title Transcription: GaNケイ ハンドウタイ ノ ケッショウ セイチョウ デバイス ノ キソ
• Series Title: 応用物理学会スクールB : テキスト ; 第26回
• Author Heading: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 東京 : 応用物理学会
• Publication Date: 2000.3
• Publication Date (W3CDTF): 2000
• Extent: 142p
• Size: 30cm
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: 半導体--論文集 ハンドウタイ ロンブンシュウ ( 00839632 )Authorities
• NDC 9th ed.: 549.8 : Electronic engineering
• NDLC: ND371
• Target Audience: 一般
• Note (General): 会期・会場: 2000年3月28日 青山学院大学青山キャンパス; JSAP catalog no.AP001311
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: ND371-H52
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000004347180; http://id.ndl.go.jp/bib/000004347180
• National Bibliography No. (JPNO): 20577488
• Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition
• Bibliographic Record Category (NDL): 111

Table of Contents

プログラム（目次）

GaN系半導体の結晶成長、デバイスの基礎

9:00 序論"スクール企画のねらい"/ 1

9:30 GaN系半導体の基礎物性/ 19

10:30 結晶成長技術I"MOVPEと欠陥制御"/ 41