サブ100nm CMOSトランジスタ技術の動向と展望

• 資料種別: 図書
• タイトル: サブ100nm CMOSトランジスタ技術の動向と展望
• タイトルよみ: サブ 100nm CMOS トランジスタ ギジュツ ノ ドウコウ ト テンボウ
• シリーズタイトル: 応用物理学会スクールB : テキスト ; 第28回
• 著者標目: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )典拠
• 出版事項: 東京 : 応用物理学会
• 出版年月日等: 2001.3
• 出版年（W3CDTF）: 2001
• 数量: 110p
• 大きさ: 30cm
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: トランジスタ--論文集 トランジスタ ロンブンシュウ ( 00950688 )典拠
• NDC9版: 549.6 : 電子工学
• NDLC: ND371
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 会期・会場: 2001年3月30日 明治大学駿河台キャンパス; JSAP catalog no.AP011312
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: ND371-H47
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000004347187; http://id.ndl.go.jp/bib/000004347187
• 全国書誌番号: 20576437
• 目録規則: 日本目録規則1987年版改訂版
• 整理区分コード: 111

目次

プログラム（目次）

サブ100nm CMOSトランジスタ技術の動向と展望

9:30 サブ100nm世代のCMOS技術の動向と展望/ 1

10:00 ゲート絶縁膜技術 (SiO2系ゲート絶縁膜とその信頼性）-現象の整理と課題抽出-/ 21

11:00 ゲート絶縁膜技術（高誘電率ゲート絶縁膜）/ 35