サブ100nm CMOSトランジスタ技術の動向と展望

• Material Type: 図書
• Title: サブ100nm CMOSトランジスタ技術の動向と展望
• Title Transcription: サブ 100nm CMOS トランジスタ ギジュツ ノ ドウコウ ト テンボウ
• Series Title: 応用物理学会スクールB : テキスト ; 第28回
• Author Heading: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 東京 : 応用物理学会
• Publication Date: 2001.3
• Publication Date (W3CDTF): 2001
• Extent: 110p
• Size: 30cm
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: トランジスタ--論文集 トランジスタ ロンブンシュウ ( 00950688 )Authorities
• NDC 9th ed.: 549.6 : Electronic engineering
• NDLC: ND371
• Target Audience: 一般
• Note (General): 会期・会場: 2001年3月30日 明治大学駿河台キャンパス; JSAP catalog no.AP011312
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: ND371-H47
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000004347187; http://id.ndl.go.jp/bib/000004347187
• National Bibliography No. (JPNO): 20576437
• Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition
• Bibliographic Record Category (NDL): 111

Table of Contents

プログラム（目次）

サブ100nm CMOSトランジスタ技術の動向と展望

9:30 サブ100nm世代のCMOS技術の動向と展望/ 1

10:00 ゲート絶縁膜技術 (SiO2系ゲート絶縁膜とその信頼性）-現象の整理と課題抽出-/ 21

11:00 ゲート絶縁膜技術（高誘電率ゲート絶縁膜）/ 35