Development of a Theoretical Model for Annealing of Radiation Damage in Semiconductor Devices. Quarterly Report, March 8-June 8, 1987. Quarterly Report, 8 Mar. - 8 Jun. 1987 NASA-CR-180394 N87-24211 NAS-126180394 Q-2

Development of a Theoretical Model for Annealing of Radiation Damage in Semiconductor Devices. Quarterly Report, March 8-June 8, 1987. Quarterly Report, 8 Mar. - 8 Jun. 1987

NASA-CR-180394 N87-24211 NAS-126180394 Q-2

国立国会図書館請求記号: LS-N87/24211
国立国会図書館書誌ID: 000004946446

資料種別: 規格・テクニカルリポート類

著者: Litovchenko, V

出版者: -

出版年: -

資料形態: マイクロ

ページ数・大きさ等: microfiche 5 p

NDC: -

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書誌情報

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マイクロ

資料種別: 規格・テクニカルリポート類
タイトル: Development of a Theoretical Model for Annealing of Radiation Damage in Semiconductor Devices. Quarterly Report, March 8-June 8, 1987. Quarterly Report, 8 Mar. - 8 Jun. 1987
著者・編者: Litovchenko, V
数量: microfiche 5 p
資料種別（注記）: [microform]
リポート番号: テクニカルリポート番号 : NASA-CR-180394
テクニカルリポート番号 : N87-24211
テクニカルリポート番号 : NAS-126180394
テクニカルリポート番号 : Q-2
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: LS-N87/24211
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000004946446
http://id.ndl.go.jp/bib/000004946446
整理区分コード: 291