規格・テクニカルリポート類

Growth of High-Quality Thin-Film Ge Single Crystals by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition NASA-TP-2532 N86-20586 NAS-1602532 L-16011

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Growth of High-Quality Thin-Film Ge Single Crystals by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

NASA-TP-2532 N86-20586 NAS-1602532 L-16011

国立国会図書館請求記号
LS-N86/20586
国立国会図書館書誌ID
000004990135
資料種別
規格・テクニカルリポート類
著者
Outlaw, R. Aほか
出版者
-
出版年
-
資料形態
マイクロ
ページ数・大きさ等
microfiche 15 p
NDC
-
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書誌情報

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マイクロ

資料種別
規格・テクニカルリポート類
著者・編者
Outlaw, R. A
Hopson, P
数量
microfiche 15 p
資料種別(注記)
[microform]
リポート番号
テクニカルリポート番号 : NASA-TP-2532
テクニカルリポート番号 : N86-20586
テクニカルリポート番号 : NAS-1602532
テクニカルリポート番号 : L-16011
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
LS-N86/20586
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
書誌ID(NDLBibID)
000004990135