Effects of rapid recrystallization and ion implanted carbon on the solid phase epitaxial regrowth of Si(sub 1-x)Ge(sub x) alloy layers on silicon CONF-950412-24 DE95 014581

Effects of rapid recrystallization and ion implanted carbon on the solid phase epitaxial regrowth of Si(sub 1-x)Ge(sub x) alloy layers on silicon

CONF-950412-24 DE95 014581

国立国会図書館請求記号: LS-DE95/014581
国立国会図書館書誌ID: 000005536889

資料種別: 規格・テクニカルリポート類

著者: Antonell, M. Jほか

出版者: -

出版年: 1995

資料形態: マイクロ

ページ数・大きさ等: 6 p. (1 microfiche)

NDC: -

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書誌情報

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マイクロ

資料種別: 規格・テクニカルリポート類
タイトル: Effects of rapid recrystallization and ion implanted carbon on the solid phase epitaxial regrowth of Si(sub 1-x)Ge(sub x) alloy layers on silicon
著者・編者: Antonell, M. J
Jones, K. S
Haynes, T. E
出版年月日等: 1995
出版年（W3CDTF）: 1995
数量: 6 p. (1 microfiche)
資料種別（注記）: [microform]
リポート番号: テクニカルリポート番号 : CONF-950412-24
テクニカルリポート番号 : DE95 014581
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: LS-DE95/014581
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000005536889
http://id.ndl.go.jp/bib/000005536889
整理区分コード: 291