Enhanced low-rate radiation-induced charge trapping at the emitter-base/oxide interface of bipolar devices

• 資料種別: 規格・テクニカルリポート類
• タイトル: Enhanced low-rate radiation-induced charge trapping at the emitter-base/oxide interface of bipolar devices
• 著者・編者: Fleetwood, D. M; Schrimpf, R. D
• 出版年月日等: 1996
• 出版年（W3CDTF）: 1996
• 数量: 2 p. (1 microfiche)
• 資料種別（注記）: [microform]
• リポート番号: テクニカルリポート番号 : SAND-96-2092C; テクニカルリポート番号 : DE96 014087; テクニカルリポート番号 : CONF-9612311
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: LS-DE96/014087
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000005863870; http://id.ndl.go.jp/bib/000005863870
• 整理区分コード: 291