0.5 micrometer E/D AlGaAs/GaAs heterostructure field effect transistor technology with DFET threshold adjust implant SAND-97-0384C DE97 003209 CONF-9705174

0.5 micrometer E/D AlGaAs/GaAs heterostructure field effect transistor technology with DFET threshold adjust implant

SAND-97-0384C DE97 003209 CONF-9705174

国立国会図書館請求記号: LS-DE97/003209
国立国会図書館書誌ID: 000005868530

資料種別: 規格・テクニカルリポート類

著者: Baca, A. Gほか

出版者: -

出版年: 1997

資料形態: マイクロ

ページ数・大きさ等: 4 p. (1 microfiche)

NDC: -

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書誌情報

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マイクロ

資料種別: 規格・テクニカルリポート類
タイトル: 0.5 micrometer E/D AlGaAs/GaAs heterostructure field effect transistor technology with DFET threshold adjust implant
著者・編者: Baca, A. G
Sherwin, M. E
Zolper, J. C
Shul, R. J
Briggs, R. D
出版年月日等: 1997
出版年（W3CDTF）: 1997
数量: 4 p. (1 microfiche)
資料種別（注記）: [microform]
リポート番号: テクニカルリポート番号 : SAND-97-0384C
テクニカルリポート番号 : DE97 003209
テクニカルリポート番号 : CONF-9705174
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: LS-DE97/003209
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000005868530
http://id.ndl.go.jp/bib/000005868530
整理区分コード: 291