Charge state defect engineering of silicon during ion implantation

• 資料種別: 規格・テクニカルリポート類
• タイトル: Charge state defect engineering of silicon during ion implantation
• 著者・編者: Brown, R. A; Ravi, J; Erokhin, Y; Rozgonyi, G. A; White, C. W
• 出版年月日等: 1997
• 出版年（W3CDTF）: 1997
• 数量: 7 p. (1 microfiche)
• 資料種別（注記）: [microform]
• リポート番号: テクニカルリポート番号 : CONF-961202-37; テクニカルリポート番号 : DE97 002627
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: LS-DE97/002627
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000005883061; http://id.ndl.go.jp/bib/000005883061
• 整理区分コード: 291