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半導体内部に金属領域を有する超高速集積回路の研究

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半導体内部に金属領域を有する超高速集積回路の研究

国立国会図書館請求記号
Y151-H02402031
国立国会図書館書誌ID
000006977507
資料種別
図書
著者
大見, 忠弘, 東北大学
出版者
-
出版年
1990-1991
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ハンドウタイ ナイブ ニ キンゾク リョウイキ オ ユウスル チョウコウソク シュウセキ カイロ ノ ケンキュウ
著者・編者
大見, 忠弘, 東北大学
著者標目
大見, 忠弘 オオミ, タダヒロ
出版年月日等
1990-1991
出版年(W3CDTF)
1990
数量
その他のタイトル
研究種目 一般研究(A)
件名標目
メタルゲート自己整合MOSFET メタルゲートジコセイゴウMOSFET
イオン注入層低温アニール イオンチユウニユウソウテイオンアニール
Cu配線技術 CUハイセンギジユツ
超高速配線 チヨウコウソクハイセン
エレクトロマイグレーシヨン エレクトロマイグレーシヨン
低エネルギイオン照射プロセス テイエネルギイオンシヨウシヤプロセス
NON ALLOYING CONTACT NONALLOYINGCONTACT