全エピタキシヤル金属/絶縁体積層構造形成とデバイスの研究

• 資料種別: 図書
• タイトル: 全エピタキシヤル金属/絶縁体積層構造形成とデバイスの研究
• タイトルよみ: ゼン エピタキシヤル キンゾク/ゼツエン タイセキソウ コウゾウ ケイセイ ト デバイス ノ ケンキュウ
• 著者・編者: 山田, 公, 京都大学
• 著者標目: 山田, 公 ヤマダ, イサオ
• 出版年月日等: 1992-1994
• 出版年（W3CDTF）: 1992
• 数量: 冊
• その他のタイトル: 研究種目 一般研究(B)
• 件名標目: ICB ICB; エピタキシヤル成長 エピタキシヤルセイチヨウ; 真空一貫プロセス シンクウイツカンプロセス; A1/A12O3積層構造 A1/A12O3セキソウコウゾウ; 量子効果デバイス リヨウシコウカデバイス; 共鳴トンネルデバイス キヨウメイトンネルデバイス; トンネル電流 トンネルデンリユウ
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 04452202
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H04452202
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000006986163; http://id.ndl.go.jp/bib/000006986163
• 整理区分コード: 214