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ケミカルプロセスによるメモリー用強誘電体薄膜の作製と特性評価

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ケミカルプロセスによるメモリー用強誘電体薄膜の作製と特性評価

国立国会図書館請求記号
Y151-H04555188
国立国会図書館書誌ID
000006987225
資料種別
図書
著者
峠, 登, 近畿大学
出版者
-
出版年
1992-1993
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ケミカルプロセス ニ ヨル メモリーヨウ キョウ ユウデンタイ ハクマク ノ サクセイ ト トクセイ ヒョウカ
著者・編者
峠, 登, 近畿大学
著者標目
峠, 登 トウゲ, ノボル
出版年月日等
1992-1993
出版年(W3CDTF)
1992
数量
その他のタイトル
研究種目 試験研究(B)
件名標目
ゾルーゲル法 ゾルーゲルホウ
強誘電体 キヨウユウデンタイ
PZT PZT
PLZT PLZT
Bi4Ti3O12 BI4TI3O12
薄膜 ハクマク
化学修飾 カガクシユウシヨク
パターニング パターニング