高集積密度半導体素子を利用した中性子照射損傷ダイナミクスの研究

国立国会図書館請求記号: Y151-H04680229
国立国会図書館書誌ID: 000006989558

資料種別: 図書

著者: 飯田, 敏行, 大阪大学

出版者: -

出版年: 1992-1993

資料形態: 紙

ページ数・大きさ等: -

NDC: -

すべて見る

資料に関する注記

一般注記：: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書

書店で探す

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

紙

資料種別: 図書
タイトル: 高集積密度半導体素子を利用した中性子照射損傷ダイナミクスの研究
タイトルよみ: コウシュウセキミツドハンドウタイソシオリヨウシタチュウセイシショウシャソンショウダイナミクスノケンキュウ
著者・編者: 飯田, 敏行, 大阪大学
著者標目: 著者：飯田, 敏行イイダ, トシユキ ( 01015281 )典拠
大阪大学オオサカダイガク ( 00296951 )典拠
出版年月日等: 1992-1993
出版年（W3CDTF）: 1992
数量: 冊
その他のタイトル: 研究種目一般研究(C)
件名標目: 高集積密度半導体素子コウシユウセキミツドハンドウタイソシ
中性子照射損傷チユウセイシシヨウシヤソンシヨウ
損傷ダイナミクスソンシヨウダイナミクス
半導体メモリIC ハンドウタイメモリIC
ソフトエラーソフトエラー
ビツトソフトエラー断面積ビツトソフトエラーダンメンセキ
CMOS SRAM IC CMOSSRAMIC
Si (n, α) Mg反応 SI (N, アルフア) MGハンノウ
NDLC: Y151
一般注記: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
科研費課題番号: 04680229
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Y151-H04680229
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 000006989558
http://id.ndl.go.jp/bib/000006989558
整理区分コード: 214