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欠陥の少ない強誘電体とシリコンの界面の構成方法とこれを用いたメモリデバイスの研究

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欠陥の少ない強誘電体とシリコンの界面の構成方法とこれを用いたメモリデバイスの研究

国立国会図書館請求記号
Y151-H06452235
国立国会図書館書誌ID
000006996131
資料種別
図書
著者
垂井, 康夫, 早稲田大学
出版者
-
出版年
1994-1996
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ケッカン ノ スクナイ キョウ ユウデンタイ ト シリコン ノ カイメン ノ コウセイ ホウホウ ト コレ オ モチイタ メモリデバイス ノ ケンキュウ
著者・編者
垂井, 康夫, 早稲田大学
著者標目
垂井, 康夫 タルイ, ヤスオ
出版年月日等
1994-1996
出版年(W3CDTF)
1994
数量
その他のタイトル
研究種目 一般研究(B)
件名標目
強誘電体 キヨウユウデンタイ
メモリ メモリ
チタン酸鉛 チタンサンナマリ
セリア セリア
YSZ YSZ
ヘテロエピタキシー ヘテロエピタキシー
スケーリング則 スケーリングソク
SBT SBT