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欠陥の少ない強誘電体とシリコンの界面の構成方法とこれを用いたメモリデバイスの研究

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欠陥の少ない強誘電体とシリコンの界面の構成方法とこれを用いたメモリデバイスの研究

Call No. (NDL)
Y151-H06452235
Bibliographic ID of National Diet Library
000006996131
Material type
図書
Author
垂井, 康夫, 早稲田大学
Publisher
-
Publication date
1994-1996
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
ケッカン ノ スクナイ キョウ ユウデンタイ ト シリコン ノ カイメン ノ コウセイ ホウホウ ト コレ オ モチイタ メモリデバイス ノ ケンキュウ
Author/Editor
垂井, 康夫, 早稲田大学
Author Heading
垂井, 康夫 タルイ, ヤスオ
Publication Date
1994-1996
Publication Date (W3CDTF)
1994
Extent
Additional Title
研究種目 一般研究(B)
Subject Heading
強誘電体 キヨウユウデンタイ
メモリ メモリ
チタン酸鉛 チタンサンナマリ
セリア セリア
YSZ YSZ
ヘテロエピタキシー ヘテロエピタキシー
スケーリング則 スケーリングソク
SBT SBT