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シランーフツ素系化学反応プロセスを利用するSi薄膜の低温結晶成長技術の開発

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シランーフツ素系化学反応プロセスを利用するSi薄膜の低温結晶成長技術の開発

国立国会図書館請求記号
Y151-H06505001
国立国会図書館書誌ID
000006997211
資料種別
図書
著者
半那, 純一, 東京工業大学
出版者
-
出版年
1994-1995
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
シランーフツソケイ カガク ハンノウ プロセス オ リヨウ スル Si ハクマク ノ テイオン ケッショウ セイチョウ ギジュツ ノ カイハツ
著者・編者
半那, 純一, 東京工業大学
著者標目
半那, 純一 ハンナ, ジュンイチ
出版年月日等
1994-1995
出版年(W3CDTF)
1994
数量
その他のタイトル
研究種目 試験研究(A)
件名標目
CVD CVD
シラン シラン
フツ素 フツソ
アモルフアスシリコン アモルフアスシリコン
多結晶シリコン タケツシヨウシリコン
低温結晶成長 テイオンケツシヨウセイチヨウ
反応流 ハンノウリユウ