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MOCVD法による強誘電体薄膜の高速大面積成長とメモリデバイスへの実用化研究

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MOCVD法による強誘電体薄膜の高速大面積成長とメモリデバイスへの実用化研究

国立国会図書館請求記号
Y151-H06555094
国立国会図書館書誌ID
000006997354
資料種別
図書
著者
塩崎, 忠, 京都大学
出版者
-
出版年
1994-1995
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
MOCVD ホウ ニ ヨル キョウ ユウデンタイ ハクマク ノ コウソク ダイ メンセキ セイチョウ ト メモリデバイス ヘ ノ ジツヨウカ ケンキュウ
著者・編者
塩崎, 忠, 京都大学
著者標目
塩崎, 忠, 1944- シオサキ, タダシ, 1944- ( 00145880 )典拠
出版年月日等
1994-1995
出版年(W3CDTF)
1994
数量
その他のタイトル
研究種目 試験研究(B)
件名標目
MOCVD法 MOCVDホウ
PZT PZT
PLZT PLZT
大面積成長 ダイメンセキセイチヨウ
薄膜 ハクマク
均一性 キンイツセイ
メモリデバイス メモリデバイス
疲労 ヒロウ