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イオン照射による薄膜用基板の表面制御-結晶性薄膜作製の低温プロセス化-

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イオン照射による薄膜用基板の表面制御-結晶性薄膜作製の低温プロセス化-

国立国会図書館請求記号
Y151-H07555040
国立国会図書館書誌ID
000007004585
資料種別
図書
著者
山内, 和人, 大阪大学
出版者
-
出版年
1995-1996
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
イオン ショウシャ ニ ヨル ハクマクヨウ キバン ノ ヒョウメン セイギョ-ケッショウセイ ハクマク サクセイ ノ テイオン プロセスカ-
著者・編者
山内, 和人, 大阪大学
著者標目
山内, 和人 ヤマウチ, カズト
出版年月日等
1995-1996
出版年(W3CDTF)
1995
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
イオン照射 イオンシヨウシヤ
シリコン薄膜 シリコンハクマク
低温成膜 テイオンセイマク
基板改質 キバンカイシツ
多結晶 タケツシヨウ
液体金属イオン源 エキタイキンゾクイオンゲン