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In,P化合物を用いるMOCVD,ALEにおける表面反応基礎過程の研究

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In,P化合物を用いるMOCVD,ALEにおける表面反応基礎過程の研究

国立国会図書館請求記号
Y151-H07640770
国立国会図書館書誌ID
000007006743
資料種別
図書
著者
福田, 安生, 静岡大学
出版者
-
出版年
1995-1996
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
In,P カゴウブツ オ モチイル MOCVD,ALE ニ オケル ヒョウメン ハンノウ キソ カテイ ノ ケンキュウ
著者・編者
福田, 安生, 静岡大学
著者標目
福田, 安生 フクダ, ヤスオ
出版年月日等
1995-1996
出版年(W3CDTF)
1995
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(C)
件名標目
表面反応 ヒヨウメンハンノウ
化合物半導体薄膜 カゴウブツハンドウタイハクマク
薄膜形成機構 ハクマクケイセイキコウ
昇温脱離 シヨウオンダツリ
走査トンネル顕微鏡 ソウサトンネルケンビキヨウ
電子分光 デンシブンコウ
アルキルフオスフイン アルキルフオスフイン
トリエチルインジウム トリエチルインジウム