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イオンクラスターの電界制御によるTEOS/O3常圧CVD薄膜の選択形成

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イオンクラスターの電界制御によるTEOS/O3常圧CVD薄膜の選択形成

国立国会図書館請求記号
Y151-H07650927
国立国会図書館書誌ID
000007007408
資料種別
図書
著者
足立, 元明, 大阪府立大学
出版者
-
出版年
1995-1996
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
イオンクラスター ノ デンカイ セイギョ ニ ヨル TEOS/O3 ジョウアツ CVD ハクマク ノ センタク ケイセイ
著者・編者
足立, 元明, 大阪府立大学
著者標目
足立, 元明 アダチ, モトアキ
出版年月日等
1995-1996
出版年(W3CDTF)
1995
数量
その他のタイトル
研究種目 一般研究(C)
件名標目
CVD CVD
薄膜 ハクマク
イオンクラスター イオンクラスター
イオン核生成 イオンカクセイセイ
気相核生成 キソウカクセイセイ
TEOS TEOS
選択成長 センタクセイチヨウ
ナノメータ粒子 ナノメータリユウシ