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ラジカル制御を用いた表面反応過程及び薄膜形成に関する研究

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ラジカル制御を用いた表面反応過程及び薄膜形成に関する研究

国立国会図書館請求記号
Y151-H08405005
国立国会図書館書誌ID
000007011172
資料種別
図書
著者
後藤, 俊夫, 名古屋大学
出版者
-
出版年
1996-1998
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ラジカル セイギョ オ モチイタ ヒョウメン ハンノウ カテイ オヨビ ハクマク ケイセイ ニ カンスル ケンキュウ
著者・編者
後藤, 俊夫, 名古屋大学
著者標目
著者 : 後藤, 俊夫, 1941- ゴトウ, トシオ, 1941- ( 00292248 )典拠
出版年月日等
1996-1998
出版年(W3CDTF)
1996
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(A)
件名標目
プラズマ プラズマ
CVD CVD
ラジカル ラジカル
多結晶シリコン タケツシヨウシリコン
アモルフアスシリコン アモルフアスシリコン
赤外半導体レーザ吸収分光法 セキガイハンドウタイレーザキユウシユウブンコウホウ
プロセス プロセス
FT-IR FT-IR