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ラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して製作する4族半導体極微細デバイス

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ラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して製作する4族半導体極微細デバイス

国立国会図書館請求記号
Y151-H08405022
国立国会図書館書誌ID
000007011188
資料種別
図書
著者
室田淳一, 東北大学
出版者
-
出版年
1996-1998
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ラングミュア キュウチャク ・ ハンノウ セイギョ プロセス オ クシ シテ セイサク スル 4 ゾク ハンドウタイキョク ビサイ デバイス
著者・編者
室田淳一, 東北大学
著者標目
室田, 淳一 ムロタ, ジュンイチ
出版年月日等
1996-1998
出版年(W3CDTF)
1996
1998
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(A)
件名標目
ラングミユア吸着・反応 ラングミユアキユウチヤク・ハンノウ
IV族半導体 IVゾクハンドウタイ
極微細デバイス キヨクビサイデバイス
原子層成長 ゲンシソウセイチヨウ
表面処理 ヒヨウメンシヨリ
原子層エツチング ゲンシソウエツチング
水素終端 スイソシユウタン
低温ヘテロエピタキシヤル成長 テイオンヘテロエピタキシヤルセイチヨウ