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ラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して製作する4族半導体極微細デバイス

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ラングミュア吸着・反応制御プロセスを駆使して製作する4族半導体極微細デバイス

Call No. (NDL)
Y151-H08405022
Bibliographic ID of National Diet Library
000007011188
Material type
図書
Author
室田淳一, 東北大学
Publisher
-
Publication date
1996-1998
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
ラングミュア キュウチャク ・ ハンノウ セイギョ プロセス オ クシ シテ セイサク スル 4 ゾク ハンドウタイキョク ビサイ デバイス
Author/Editor
室田淳一, 東北大学
Author Heading
室田, 淳一 ムロタ, ジュンイチ
Publication Date
1996-1998
Publication Date (W3CDTF)
1996
1998
Extent
Additional Title
研究種目 基盤研究(A)
Subject Heading
ラングミユア吸着・反応 ラングミユアキユウチヤク・ハンノウ
IV族半導体 IVゾクハンドウタイ
極微細デバイス キヨクビサイデバイス
原子層成長 ゲンシソウセイチヨウ
表面処理 ヒヨウメンシヨリ
原子層エツチング ゲンシソウエツチング
水素終端 スイソシユウタン
低温ヘテロエピタキシヤル成長 テイオンヘテロエピタキシヤルセイチヨウ