先端半導体デバイスと材料の放射線損傷

• 資料種別: 図書
• タイトル: 先端半導体デバイスと材料の放射線損傷
• タイトルよみ: センタン ハンドウタイ デバイス ト ザイリョウ ノ ホウシャセン ソンショウ
• 著者・編者: 大山, 英典, 熊本電波工業高等専門学校
• 著者標目: 大山, 英典 オオヤマ, ヒデノリ
• 出版年月日等: 1997-1998
• 出版年（W3CDTF）: 1997
• 数量: 冊
• その他のタイトル: 研究種目 国際学術研究
• 件名標目: 半導体デバイス ハンドウタイデバイス; 高エネルギー粒子線 コウエネルギーリユウシセン; 放射線損傷 ホウシヤセンソンシヨウ; 特性劣化 トクセイレツカ; 格子欠陥 コウシケツカン; HEMT HEMT; InGaAs INGAAS; SiGe SIGE
• NDLC: Y151
• 一般注記: 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• 科研費課題番号: 09045063
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Y151-H09045063
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000007018062; http://id.ndl.go.jp/bib/000007018062
• 整理区分コード: 214