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昇華近接法による高品質SiCの高速エピタキシヤル成長

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昇華近接法による高品質SiCの高速エピタキシヤル成長

国立国会図書館請求記号
Y151-H09450011
国立国会図書館書誌ID
000007018260
資料種別
図書
著者
西野, 茂弘, 京都工芸繊維大学
出版者
-
出版年
1997-1998
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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書誌情報

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資料種別
図書
タイトルよみ
ショウカ キンセツホウ ニ ヨル コウヒンシツ SiC ノ コウソク エピタキシヤル セイチョウ
著者・編者
西野, 茂弘, 京都工芸繊維大学
著者標目
西野, 茂弘 ニシノ, シゲヒロ
出版年月日等
1997-1998
出版年(W3CDTF)
1997
数量
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)
件名標目
シリコンカーバイド シリコンカーバイド
SiC SIC
昇華法 シヨウカホウ
エピタキシヤル成長 エピタキシヤルセイチヨウ
近接法 キンセツホウ
昇華エピアキシヤル成長 シヨウカエピアキシヤルセイチヨウ
SiC薄膜 SICハクマク
SiCデバイス SICデバイス